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制作,把重掺Te或Sn的GaAs单晶切片置于氯化物系统镓源后的腐蚀区作杂源，用磁拉方法改变两源的温度，以进行多层生长。用将衬底磁拉至微腐蚀区的方法，避开为生长新层而在反应管内建立新的气相组分过程中所引起的缓变层的生长。本法成本低，操作简便、安全，质量重复可靠。
. 主权项 .
. 气相外延掺Ｔｅ或掺Ｓｎ－ＧａＡｓ，且在同一次中实现不同掺杂浓度的多层生长，本方法的特征是通过改变反应管内镓源和杂源温度，以调制不同的掺杂浓度，及至把镓源处于５５０ ℃以下的“休息”状态，实现重掺ｎ↑［＋＋］层的生长。同时，每层生长前，都是磁拉热容量小的托板及其上衬底主微腐蚀区进行气相腐蚀，以避开缓变层的生长。
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中国科技资讯网
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