制造氮化硅粉末的方法<%=id%>

. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利代理部. 代.. 理.. 人：. 罗英铭; 陈季壮
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. 摘要　.
. 公开了一种制造β-Si3N4含量高,具有细粒和均匀粒度的氮化硅粉末的方法.该方法包括把SiO粉末和C粉末,如果需要的话,还有Si粉末,和/或Si3N4的粉末一起混合,然后放在N2分压不低于2个大气压的一种氮化气氛中,在1,400-1,800℃温度下进行灼烧.
. 主权项　.
. 生产氮化粉末硅的一种方法，该方法包括将ＳｉＯ粉末与一种含碳的材料混合，然后将生成的混合物放在氮气的分压力不低于２个大气压的一种氮化气氛中在１，４００－１，８００℃ 的温度下进行灼烧。
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中国科技资讯网
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