发光二极管、集成发光二极管、其制法、生长方法、光源单元装置、背光装置、显示器和电子器件<%=id%>

尼株式会社.
地......... 址：. 日本东京都
发明 (设计)人：. 大前晓;富谷茂隆;前田勇树;盐见治典;网隆明;宫嶋孝夫;簗嶋克典;丹下贵志;安田淳. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京市柳沈律师事务所. 代.. 理.. 人：. 陶凤波;侯宇
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. 摘要　.
.一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
. 主权项　.
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