通过使用双有机硅氧烷前体制备低介电常数膜的方法<%=id%>

沈律师事务所. 代.. 理.. 人：. 封新琴;巫肖南
.
. 摘要　.
.在此公开了一种制备介电膜的方法。根据该方法，通过将双有机硅氧烷前体通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积到晶片上制备了介电膜。由于通过该方法制备的介电膜具有低介电常数并且显示出较好的机械性能，例如弹性模量和硬度，因而所述介电膜可用作用于双镶嵌铜互连用半导体器件的层间介电膜或用作半导体和显示器件用钝化层。
. 主权项　.
.权利要求书 1.一种制备介电膜的方法，包括通过将双有机硅氧烷前体和膜性能改进剂的混合物借助等离子体增强化学气相沉积法沉积到晶片上。.
.

中国科技资讯网
.

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明