向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法<%=id%>

03-17 WO2005/024905 英进入国家日期：. 2006.02.27
专利代理机构：.. 中原信达知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 黄启行;穆德骏
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. 摘要　.
.一种切换可调节的磁致电阻存储器单元的方法，包括步骤：提供磁致电阻存储器器件(12)，其具有夹在字线(14)和位线(16)之间的两个位(18)和(20)，从而电流波形(104)和(106)能够在不同的时刻施加在字线和位线上，以产生磁场通量HW和HD，以将设备(12)的有效磁瞬间向量(86)和(94)旋转180°。每一位包括N 层铁磁体层(32)，以及(34，42)，以及(44，60)，以及(62， 72和74)，它们通过反铁磁体层耦合。可以对N调整，以改变位的磁切换量。通过调整字线和/或位线上的电流，可以对一个或两个位编程。
. 主权项　.

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