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    混合半导体结构及其制造方法<%=id%>
    .gif" width=1>..

    主分类号: 　.. .H01L27/02(2006.01)I.. 范畴分类: 　.. ...

    ..

    分类号: 　.. .H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I..

    ..

    优先权: 　.. .2005.1.31 US 10/906,016..

    ..

    申请（专利权）人: 　.. .国际商业机器公司..

    ..

    地址: 　.. .美国纽约..

    ..

    发明（设计）人: 　.. .马克·E.·马斯特思;戴维·V.·霍拉克;彼得·H.·米切尔;马克·C.·哈克;查尔斯·W.克伯格三世;古川俊治..

    ..

    国际申请: 　.. ...

    ..

    国际公布: 　.. ...

    ..

    进入国家日期: 　.. ...

    ..

    专利代理机构: 　.. .中国国际贸易促进委员会专利商标事务所..

    ..

    代理人: 　.. .王永刚..

    ..

    分案申请号: 　.. ... 国省代码: 　.. .美国;US..

    ..

    颁证日: 　.. ... 光盘号: 　.. .D0636-1..

    ..

    摘要: 　..

    ..

    提供了一种混合半导体结构，它包括水平半导体器件和垂直碳纳米管晶体管，其中，垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件具有至少一个共用的节点。此至少一个共用的节点可以包括例如FET的漏、源、或栅电极或者双极晶体管的发射极、收集极、或基极。还提供了一种制造本发明混合半导体结构的方法，此混合半导体结构在垂直碳纳米管晶体管与水平半导体器件之间具有至少一个共用的节点。 　..

    ..

    主权项: 　..

    ..

    1.一种混合半导体结构，它包括： 至少一个水平半导体器件和至少一个垂直碳纳米管晶体管，其中，所述至少一个垂直碳纳米管晶体管和至少一个水平半导体器件具有至少一个共用的节点。 ..

    ..



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