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    氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法<%=id%>
    布：. 2004-11-04 WO2004/094687 日 进入国家日期：. 2005.10.24
    专利 代理 机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 王 健
    .
    . 摘要　.
    .本申请的发明涉及在成膜用基板上由等离子沉积形成以CuO为主的氧化铜薄膜，并可显著低地控制其摩擦系数。
    . 主权项 　.
    .1.氧化铜薄膜低摩擦材料的成膜方法，其特征在于：在成膜用基板上，在真空减压下，由等离子沉积形成以CuO为主的氧化铜薄膜。.
    .
    .
    中国科技资讯网
    .
         

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