场效应晶体管、电气元件阵列以及它们的制造方法<%=id%>

057665 日进入国家日期：. 2005.11.02
专利代理机构：.. 永新专利商标代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 蔡洪贵
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. 摘要　.
.本发明的场效应晶体管包括：在基板上形成的栅极；在栅极上形成的栅极绝缘层：在栅极绝缘层上形成的源极和漏极；包括碳纳米管的n-型半导体层，它形成在源极和漏极之间从而与源极和漏极接触；在n-型半导体层上形成的n-型改性聚合物层，该n-型改性聚合物层用于将碳纳米管的极性从p-型原始极性变为n-型并使极性稳定。CNT的半导体性能转变与半导体保护层形成同时进行，从而简化了制造工艺。因此可以提供即使在空气中也稳定的CNT-FET电路。
. 主权项　.
.1、一种场效应晶体管，包括：在基板上形成的栅极；在栅极上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的源极和漏极；包括碳纳米管的n-型半导体层，它形成在源极与漏极之间从而与源极和漏极接触；在n-型半导体层上形成的n-型改性聚合物层，n-型改性聚合物层用于将碳纳米管的极性从p-型原始极性变为n-型并使极性稳定。.
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