半导体复合装置及其制造方法、LED头以及成像装置<%=id%>

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专利代理机构：.. 中国专利代理(香港)有限公司. 代.. 理.. 人：. 张雪梅梁永
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. 摘要　.
.一种半导体复合装置，它包括半导体薄膜层(105，501，806) 以及基板(101，503，801)。半导体薄膜层(105，501，806)和基板被形成在半导体薄膜层与基板之间的高熔点金属和低熔点金属的合金层(121+122，511+512，911+912)彼此键合。此合金的熔点高于低熔点金属(104，404，804)的熔点。合金层(121+122，511+512， 911+912)包含低熔点金属(104，404，804)与所述半导体薄膜层(105， 501，806)的材料反应产生的产物(122，511，912)。
. 主权项　.
.1.一种半导体复合装置，包含：半导体薄膜层(105，501，806)；以及基板(101，401，503，801)；其中，所述半导体薄膜层(105，501，806)和所述基板(101， 401，503，801)被形成在所述半导体薄膜层(105，501，806)与所述基板(101，401，503，801)之间的高熔点金属(103，403，803) 和低熔点金属(104，404，804)的合金层(121+122，511+512，821+822， 911+912)彼此键合。.
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