晶片导向器,MOCVD装置和氮化物半导体生长方法<%=id%>

国际公布: 　..
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进入国家日期: 　..
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专利代理机构: 　. 中科专利商标代理有限责任公司
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代理人: 　. 陈平
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分案申请号: 　.. 国省代码: 　. 日本;JP
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颁证日: 　.. 光盘号: 　. D0623-1
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摘要: 　
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本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域 (15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面 (17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。　
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主权项: 　
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1、一种晶片导向器，该晶片导向器是用于生长氮化物半导体的 MOCVD装置中使用的晶片支架用的晶片导向器，所述的晶片支架具有一个或多个用于支撑其上生长氮化物半导体的晶片的第一区域，以及围绕着所述一个或多个第一区域的第二区域，所述晶片导向器用于安装在 MOCVD装置的晶片支架上，并且包含：防护罩，用于覆盖所述晶片支架的第二区域；和一个或多个开口，用于将其上生长氮化物半导体的晶片接纳到所述一个或多个晶片支架第一区域上；其中所述防护罩具有一个或多个侧表面，所述的一个或多个侧表面在其中限定一个或多个开口并用于引导晶片。.
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