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分 类 号：
C04B35/56;C04B35/58
颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.22 US 09/469,893
申请(专利权)人：
德崇大学;桑德维克公司
地 址：
美国宾夕法尼亚州
发 明 (设计)人：
塔梅尔·埃尔拉吉;米歇尔·W·巴尔苏姆
国 际 申 请：
CT/US00/34799 2000.12.21
国 际 公 布：
WO01/46083 英 2001.6.28
进入国家日期：
2002.06.24
专利 代理 机构：
永新专利商标代理有限公司
代 理 人：
于辉
摘要
提供一种形成包含M3X1Z2相的材料的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供以下组分的混合物：(i)至少一种过渡金属物质，(ii)选自铝物质，锗物质和硅物质的至少一种副金属物质，和(iii)选自硼物质，碳物质和氮物质的至少一种非金属物质；(b)在基本上封闭的加热区内的气氛中加热该混合物到大约1000℃-大约1800℃的温度，保持足以形成该M3X1Z2相的一段时间，其中所述的气氛具有不大于约1×10-6atm的O2分压。该方法提供包含非常少MZx相的基本上单相的材料。制备该致密的、基本上单相的M3X1Z2相工件的方法包括提供高纯度M3X1Z2相粉末预成形体和在基本上封闭的加热区内的气氛中在大约1000℃—大约1800℃的温度下烧结该预成形体，达到足以形成该致密的、基本上单相的M3X1Z2相工件的一段时间；其中所述的气氛具有不大于约1×10-6atm的O2分压。
主权项
权利要求书
1.形成包含M3X1Z2相的材料的方法，其中M是至少一种过渡金
属，X是Al、Ge和Si中的至少一种，并且Z是B、C和N中的至少
一种，该方法包括以下步骤：
(a)提供以下组分的混合物：(i)至少一种过渡金属物质，(ii)
选自铝物质，锗物质和硅物质的至少一种副金属物质，和(iii)选自
硼物质，碳物质和氮物质的至少一种非金属物质；
(b)在基本上封闭的加热区内的气氛中加热该混合物到大约
1000℃-大约1800℃的温度，保持足以形成所述M3X1Z2相的一段时
间；其中所述气氛具有不大于约1×10-6atm的O2分压。
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