制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件<%=id%>

3;H01L33/00
颁证日：
优先权： 1999.12.24 JP 367614/1999
申请(专利权)人：丰田合成株式会社
地址：日本爱知县
发明 (设计)人：小池正好;手钱雄太;平松敏夫
国际申请： CT/JP00/09120 2000.12.21
国际公布： WO01/48798 日 2001.7.5
进入国家日期： 2002.06.24
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：巫肖南;封新琴
摘要
　蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，第二III族氮化物层32可以从用作外延生长晶核的柱子的顶面及沟槽的侧壁/多个侧壁纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展。结果，在掩埋的沟槽处形成几乎没有贯穿位错的区域。
主权项
　权利要求书 1.一种通过外延生长制备III族氮化物半导体的方法，该方法包括如下步骤：蚀刻底层，该底层包含至少一层III族氮化物半导体，第一III族氮化物半导体作为最上层，以形成具有点状、条纹状或栅格状等岛状结构的沟槽/柱子；及沿纵向和横向外延生长第二III族氮化物半导体，以柱子的顶面和沟槽的侧壁/多个侧壁作为外延生长的晶核，该柱子和沟槽是通过蚀刻所述第一 III族氮化物半导体形成的，进而形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构。

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