制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件<%=id%>

分类号： H01L21/205;H01S5/343;H01L33/00
颁证日：
优先权： 1999.12.24 JP 367613/1999
申请(专利权)人：丰田合成株式会社
地址：日本爱知县
发明 (设计)人：小池正好;小岛彰;平松敏夫;手钱雄太
国际申请： CT/JP00/09121 2000.12.21
国际公布： WO01/48799 日 2001.7.5
进入国家日期： 2002.06.24
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：巫肖南;封新琴
摘要
　利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。
主权项
　权利要求书 1.一种通过外延生长制备III族氮化物半导体的方法，包括使用掩模；蚀刻包含至少一层III族氮化物半导体的底层，所述底层的最上层是由第一III族氮化物半导体形成的，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构；及沿纵向和横向外延生长第二III族氮化物半导体，但不在掩模上外延生长，该掩模保留在所述沟槽底层中最上层的顶面上，并以沟槽的侧壁为外延生长的晶核，通过蚀刻所述第一III族氮化物半导体，形成柱子和所述的沟槽，进而形成点状、条状或栅格状等岛状结构。

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