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分 类 号：
H01L29/80;H01L21/338
颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.21 JP 362384/1999;1999.12.21 JP 362385/1999;1999.12.21 JP 362386/1999;2000.4.28 JP 129880/2000;2000.6.2 JP 165701/2000;2000.6.28 JP 194464/2000;2000.9.21 JP 286520/2000
申请(专利权)人：
住友电气工业株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
原田真;弘津研一
国 际 申 请：
CT/JP00/08645 2000.12.6
国 际 公 布：
WO01/47029 日 2001.6.28
进入国家日期：
2002.06.21
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
杨梧;马高平
摘要
一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。
主权项
权利要求书
1、一种横向结型场效应晶体管，包括：
n型SiC衬底(1n)；
p型SiC膜(2)，被形成在上述n型SiC衬底的正面上；
n型SiC膜(3)，被形成在上述p型SiC膜上，包含沟道区(11)；
源区、漏区(22，23)，被分别形成在上述n型SiC膜上的、上述沟道区
的两侧；以及
栅极(14)，与上述n型SiC衬底相接来设置。
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