一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置<%=id%>

分类号： C30B15/04
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
地址： 100088北京市新街口外大街2号
发明 (设计)人：屠海令;秦福;周旗钢;张果虎
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京元中专利事务所
代理人：母宗绪
摘要
　本发明涉及生产硅单晶棒的掺杂方法及设备，是一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂的方法及装置，用于直拉硅单晶的掺杂。将待掺杂的元素置于掺杂装置的内筒中，将带有盛放着掺杂元素内筒的掺杂装置，下降到多晶硅熔体的液面上，在石英坩埚的旋转下，使被掺杂的元素挥发完全，使石英坩埚继续旋转所需时间，安装上特定晶向的籽晶进行单晶硅棒的拉制。应用本发明的气相掺杂法解决了已有技术中掺杂效率低的技术问题。提高了掺杂效率，减少了回熔次数；本发明的掺杂装置由钟罩、吊钩、内筒所组成，使得本发明的掺杂方法得以实现。
主权项
　权利要求书 1、一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法，其特征在是： 1)将所要掺杂的需要量的掺杂元素，置于掺杂装置的内筒中； 2)将带有内筒的掺杂装置悬挂在晶体提拉舱室中，抽真空，晶体提拉舱室和晶体生长室中充入氩气； 3)将原料多晶硅熔化，多晶硅熔化后，在石英坩埚旋转的条件下，将带有盛放着掺杂元素内筒的掺杂装置，下降至多晶硅熔体的液面上； 4)待被掺杂的元素挥发完全后，盛有硅熔体的石英坩埚继续旋转所需要的时间； 5)将带有内筒的掺杂装置提升到晶体提拉舱室中，关闭晶体提拉舱室与晶体生长室之间的隔离阀，向晶体拉舱室中充入氩气，使氩气的压力为1.1×105Pa，打开晶体提拉舱室的门，安装上特定晶向的籽晶， 6)将晶体提拉舱中的压力抽至晶体生长室的压力，开启隔离阀，进行单晶硅棒拉制。

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