一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器<%=id%>

分类号： C30B15/04
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
地址： 100088北京市新街口外大街2号
发明 (设计)人：屠海令;周旗钢;张果虎;戴小林;吴志强
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京元中专利事务所
代理人：母宗绪
摘要
　本发明涉及一种生产单晶硅棒时，提高掺杂氧的方法及装置。为一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器。可用于增加直拉法硅单晶中的氧含量。本法是用石英制的增氧器置于石英坩埚的底部，在增氧器上加入多晶硅，在加热熔化多晶硅时，增氧器与石英坩埚熔接在一起，增氧器在整个硅单晶拉制过程中，保持在硅熔体中。所说的增氧器为石英制的圆台状体、圆柱状体、圆形环状体其中的一种。本法增加了直拉硅单晶中的氧含量，不破坏氧在沿晶体直径方向的分布，不产生过度的晶体缺陷。多晶硅可为块状，也可以是小颗粒状。增氧器结构简单，易于制作，增加含氧量的效果显著。
主权项
　权利要求书 1.一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法，其特征是，先将用石英制成的增氧器(2)，置于石英坩埚(16)的底部，在增氧器(2)上加入作为原料的多晶硅，在加热作为原料的多晶硅熔化过程中，增氧器与石英坩埚的内壁熔接在一起，石英制的增氧器在整个硅单晶拉制过程中保持在硅熔体中，石英制的增氧器的石英表面增大了石英材料表面与融熔硅的表面接触，更多的原子态的氧进入硅熔体中，增大了硅单晶棒中的氧含量。

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