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分 类 号：
C30B23/08;C30B29/32;H01L21/203;H01L21/363
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发 明 (设计)人：
龙翔澜
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京集佳专利商标事务所
代 理 人：
王学强
摘要
一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其是先以临场的方式在基底上磊晶成长一层氧化镧镍薄膜，其晶型与所需的锆钛酸铅薄膜相同，且晶格参数与所需的锆钛酸铅薄膜相近。接着以临场的方式，在350℃～500℃的温度下，在氧化镧镍薄膜上磊晶成长锆钛酸铅薄膜。
主权项
权利要求书
1.一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其特征为：包括下列步骤：
提供一基底；
以临场(in-situ)的方式，使用溅镀法在该基底上磊晶成长一氧化镧
镍(LNO)薄膜；以及
以临场的方式，并在350℃～500℃的温度下，使用溅镀法于该氧
化镧镍薄膜上磊晶成长一锆钛酸铅(PZT)薄膜。
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