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分 类 号：
G01N21/89;G01N21/94;H01J37/28
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发 明 (设计)人：
林明裕;陈威铭;黄彦智;林世丰
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京集佳专利商标事务所
代 理 人：
王学强
摘要
一种蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法，此方法将一光阻控片置于一蚀刻机台中，并将其传送至一主蚀刻室，接着开启等离子源，以进行光阻控片的光阻层的蚀刻步骤。之后，检测蚀刻后的光阻控片的微粒数，以判断蚀刻机台的状态。
主权项
权利要求书
1.一种蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法，其特征在于：该
方法包括：
提供具有一光阻层的一光阻控片；
将该光阻控片置于一蚀刻机台中，对该光阻控片的该光阻层进
行一蚀刻步骤；
检测该经蚀刻后的光阻控片的微粒数，以判断该蚀刻机台的污
染状态。
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