其存储单元具有串联的磁隧道结和隧道结的存储器件<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.24 US 09/983404
申请(专利权)人：惠普公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人： L·T·特兰;M·沙马;T·C·安东尼
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：杨凯;梁永
摘要
　一种存储器件(10)包括其磁隧道结(134，234，334)与隧道结(136，236，336)串联的双隧道结存储单元(130，230，330)。磁隧道结(134，234，334)在写入操作时可以从第一电阻状态改变为第二电阻状态。磁隧道结(134，234，334)具有与隧道结(136，236，336)不同的电阻电压特性，此不同的电阻电压特性允许在写入操作时熔断磁隧道结(134，234，334)而不熔断隧道结(136，236，336)。磁隧道结(134，234，334)电阻状态的变化改变了所选择的存储单元(130，230，330)的电阻，在读出操作时可检测这种电阻变化。
主权项
　权利要求书 1.一种存储单元(130，230，330)，它包括：第一隧道结(134，234，334)；以及与所述第一隧道结(134，234，334)串联的第二隧道结(136，236， 336)，其中所述第一隧道结(134，234，334)可以从第一电阻状态改变到第二电阻状态，并且所述第一隧道结(134，234，334)具有与所述第二隧道结(136，236，336)不同的电阻-电压特性。

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