通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置<%=id%>

分类号： G11C11/15
颁证日：
优先权： 2001.10.25 JP 327690/2001;2002.3.14 JP 70583/2002
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：日高秀人
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　周边电路(5)与存储阵列(2)邻接配置，对于存储阵列(2)进行数据读出以及数据写入，用于向周边电路(5)供给动作电压的电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)分别供给电源电压(Vcc)以及接地电压(GND)，电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)配置成使得由流过电源电压布线(PL)产生的磁场与流过接地布线(GL)的电流产生的磁场在存储阵列(2)中相互抵消。
主权项
　权利要求书 1.一种薄膜磁性体存储装置，其特征在于具备：配置了每一个都进行磁数据存储的多个存储单元的存储阵列，其中，上述多个存储单元的每一个具有根据预定磁场的施加能够改写的磁化方向，电阻发生变化的磁存储部分；配置在与上述存储阵列邻接的区域中，用于对上述存储阵列进行数据读出以及数据写入的周边电路；用于在上述周边电路中供给动作电压的第1以及第2电源布线，上述第1以及第2电源布线配置成使得由流过上述第1电源布线的电流产生的磁场与流过上述第2电源布线的电流产生的磁场在上述存储阵列中相互抵消。

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