可实现高密度化或高性能化的半导体存储器<%=id%>

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颁证日：
优先权： 2001.10.26 JP 329188/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：长泽勉;米谷英树;石田耕三;神保伸一
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　半导体存储器(100)包含：存储体(10～13)；预译码器(14、15)；闩锁电路(16)；计数器(17)；熔断器(18)；以及缓冲器(19、20)。存储体(10～13)包含排列成行列状的多个存储单元等。预译码器(14、15)被配置在半导体存储器(100)的中央部。预译码器(14)根据从缓冲器(20)输入的存储体地址(BA0、BA1)，生成选择存储体(12、13)的每一个用的预译码信号，将预译码信号输出给存储体(12、13)，预译码器(15)根据存储体地址(BA0、BA1)，生成选择存储体(10、11)的每一个用的预译码信号，将预译码信号输出给存储体(10、11)。其结果是，可减少在中央部的布线数。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体存储器，其特征在于：具备： n(n是自然数)个存储体(10～13)，分别包含多个存储单元；以及 m(m是满足m＜n的自然数)个预译码器(14、15)，根据存储体地址(BA0、BA1)生成选择上述n个存储体(10～13)的每一个用的选择信号，上述m个预译码器(14、15)的每一个对上述n个存储体(10～ 13)中的k(k是满足n＝k×m的自然数)个存储体(10、11或12、 13)输出上述已生成的选择信号。

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