降低非易失性存储器存储元件间耦合效应的方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.6.27 US 09/893,277
申请(专利权)人：三因迪斯克公司;株式会社东芝
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人：陈健;田中智晴;方家荣
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：冯赓宣
摘要
　一种带有一列存储器单元的非易失性存储器系统，每一个存储器单元都有至少一个存储元件，该系统在每一个存储器元件多个存储等级下被操作。一种快擦写电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是一个实例，其中的存储元件是电浮栅。该存储器减小了由于相邻浮棚之间耦合的电荷的影响，这是通过在相邻单元被编程之后对某些单元进行第二次编程来实现的。第二次编程步骤还在至少部分编程状态中压缩电荷等级分布。这样就提高了状态之间的分隔和/或允许在给定存储窗口中包括更多的状态。本发明所描述的具体实现形式是一种NAND型的快擦写EEPROM。
主权项
　权利要求书 1、一种操作非易失性存储器系统的方法，其中存储在一列存储器元件的某些存储元件中的值会由于至少在存储元件之间耦合的电场而影响从其他存储元件中读出的值，该方法包括：将对应于第一组数据的第一组存储值写入到第一组存储元件中，然后将对应于第二组数据的第二组存储值写入到不同于第一组存储元件的第二组存储元件中，其中由于至少在它们之间耦合的电场，至少一部分第二组存储值会影响从至少一部分第一组存储元件所读出的值，并且改写写入到第一组存储元件中的第一组存储值以便抵消由于至少在两者之间耦合的场，至少一部分第二组存储值对从所述至少一部分第一组存储元件所读出的值的影响，从而有利于从第一组存储元件中所读取的第一组数据的精确性。

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