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一种抗反射膜SiON表面CH4等离子体处理方法<%=id%> |
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号：
分 类 号：
H01L21/3105;H01L21/4757
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
上海华虹（集团）有限公司
地 址：
200020上海市淮海中路918号18楼
发 明 (设计)人：
缪柄有;徐小诚
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海正旦专利代理有限公司
代 理 人：
陆飞;陶金龙
摘要
iON是一种很有前途的无机抗反射膜材料，然而它的缺点是：存在光刻胶底膜的留存问题，主要原因是由于SiON表面的胺基(-NH2)集团与光刻胶反应所致，这在很大的程度上影响了图形转移的准确性。随着工业生产中光刻向深紫外短波长转移--从248到193nm或157nm，如何减小来自衬底反射光的影响构成了一种挑战。为了阻止光刻胶中的H+向下转移，本发明采用甲烷等离子方法使SiON表面未饱和的胺基NH2+与-CH3和H+健合，大大减小了光刻胶底膜留存，改善了图形转移的准确性。
主权项
权利要求书
1、一种集成电路制造工艺中SiON膜的表面处理方法，其特征在于：用常规等离子体方
法在欲刻蚀的衬底上淀积SiON抗反射膜，然后在原位先用Ar等离子体进行表面物理轰击，
以除去SiON膜表面键合较弱的胺基，紧接着用CH4+Ar或CH4+He混合等离子体进行表面处
理，使SiON膜表面未饱和的胺基或NH2+与-CH3和H2+键合。
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