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颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
上海华虹（集团）有限公司
地 址：
200020上海市淮海中路918号18楼
发 明 (设计)人：
缪炳有;徐小诚
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海正旦专利代理有限公司
代 理 人：
陶金龙;陆飞
摘要
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种有效降低SiC介电常数的淀积工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用Cu和低介电材料来减少RC互连延迟。在Cu工艺中人们大多采用SiC充当刻蚀停止层/硬掩膜层。但Cu工艺使用的SiC要求其介电常数应尽可能低。本发明用3MS和He气体沉积SiC，紧接着用He等离子体处理SiC膜，然后在炉子中完成退火。本淀积工艺可使其介电常数接近于4，从而降低了SiC的介电常数。本发明工艺简单，容易操作，稳定性好，很适用于大生产线。
主权项
权利要求书
1、一种降低SiC介电常数的淀积工艺，其特征在于将要淀积的SiC硅片用3MS和He
气体淀积SiC；紧接着在同一腔室用He等离子体处理SiC膜，然后在炉子中完成退火。
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