抗反射膜SiON表面氢等离子体处理方法<%=id%>

颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海华虹（集团）有限公司
地址： 200020上海市淮海中路918号18楼
发明 (设计)人：缪柄有;徐小诚
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：陆飞;陶金龙
摘要
　 iON是一种很有前途的一种无机抗反射膜材料；然而它的缺点是：存在光刻胶底膜的留存问题，主要原因是由于SiON表面的胺基(-NH₂)集团与光刻胶反应所致，这在很大定程度上影响了图形转移的准确性；随着工业生产中光刻向深紫外短波长转移--从248到193nm或157nm，如何减小来自衬底反射光的影响构成了一种挑战。为了阻止光刻胶中的H⁺向下转移，这里我们采用氢等离子方法使SiON表面富H⁺，从而消除光刻胶底膜(footing)留存问题。
主权项
　权利要求书 1、一种集成电路制造工艺中SiON膜的表面处理方法，其特征在于：用常规等离子体方法在欲刻蚀的衬底上淀积SiON抗反射膜，然后在原位先用Ar等离子体进行表面物理轰击，以除去SiON膜表面键合较弱的胺基；紧接着用H2+Ar或H2+He混合等离子体进行表面处理，使SiON膜表面未饱和的胺基得以饱和。

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