一种在硅衬底上形成MOS器件的方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.25 US 10/035503
申请(专利权)人：夏普公司
地址：日本大阪市
发明 (设计)人：井口胜次;许胜籐;大野芳睦;马哲申
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：肖春京;章社杲
摘要
　一种在硅衬底上形成MOS或CMOS器件的方法，包括制备一个衬底，其内部包含具有器件有源区的导电区；在器件有源区上形成栅极电极；在各个栅极电极上淀积并形成栅极电极侧壁绝缘体层；掺杂第一类型的离子，在一个器件有源区内形成一个源极区和一个漏极区，并掺杂第二类型的离子，在另一个器件有源区内形成一个源极区和一个漏极区。
主权项
　权利要求书 1.一种在硅衬底上形成MOS器件的方法，包括： a)制备一个衬底，以容纳具有第一器件有源区的第一导电类型的一个导电区； b)在第一器件有源区上形成栅极电极结构，所述栅极电极结构包括栅极电极和绝缘侧壁； c)向所述导电区的暴露部位中掺杂与所述第一器件有源区具有相反导电类型的离子，以在所述栅极电极结构的相对两侧形成源极和漏极区；并且 d)通过有选择性的化学气相淀积在所述源极和漏极区上面和所述栅极电极上面淀积一个硅化物层。

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