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    晶片级芯片尺寸封装结构及其工艺<%=id%>


    颁 证 日:
    优 先 权:
    申请(专利权)人: 华治科技股份有限公司
    地 址: 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行五路3号
    发 明 (设计)人: 蔡金英;宋明忠;叶云贤;大井政幸
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 北京集佳专利商标事务所
    代 理 人: 王学强
    摘要
      一种晶片级芯片尺寸封装主要是由一芯片、至少一介电层、一应力缓冲层、多个第一焊球以及多个第二焊球所构成。通过封装体中上层介电层包覆下层介电层的结构以改善两介电层之间剥离的现象,并通过应力缓冲层与芯片之间的阶梯式结构,进一步改善应力缓冲层的剥离现象以及水气渗入封装体的几率。此外,本发明也提出一种上述结构的制作方法。
    主权项
      权利要求书 1、一种晶片级芯片尺寸封装工艺,其特征是,该工艺至少包括: 提供一晶片,该晶片上具有多个芯片,其特征是,每一该些芯片 具有一主动区域,而该主动区域上配置有多个焊垫以及一用以保护该 芯片表面并将该些焊垫暴露的保护层; 将多个第一焊球配置于该些芯片上; 进行一第一回焊,以将该些第一焊球固着于该些芯片上; 进行一预切割步骤,以于该些芯片之间形成多个沟渠; 形成一应力缓冲层于该晶片上,以填入该些沟渠中并将该些第一 焊球包覆; 将该应力缓冲层研磨,以将该些第一焊球暴露; 将多个第二焊球配置于该些暴露出来的第一焊球上; 进行一第二回焊,以将该些第二焊球固着于该些暴露出来的第一 焊球上;以及 进行一单体化切割步骤,以将该些芯片单体化。
         

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