半导体装置的制造方法<%=id%>

分类号： H01L21/70;H01L21/336
颁证日：
优先权： 2001.10.26 JP 2001－329038
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社
地址：日本东京
发明 (设计)人：神田敦之;芳贺泰
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：余刚
摘要
　本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的半导体装置制造方法。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，形成比标准厚度厚的约2000用于构成侧壁的第六氧化膜(119)，过度蚀刻第六氧化膜，形成侧壁(119SW)。利用抗蚀膜(R15A)，通过蚀刻，将不需要的氧化膜(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极-源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15A)，向开口的漏极-源极形成区注入n型杂质离子。
主权项
　权利要求书 1. 一种半导体装置制造方法，用于在同一半导体衬底上制造具有不同漏极耐压能力的高压MOS晶体管与低压MOS晶体管的半导体装置，所述制造方法的特征在于包括以下步骤： (a)在所述衬底的上方已形成的第一绝缘膜上形成栅极后，在包含所述栅极的所述衬底表面形成第二绝缘膜，通过蚀刻已形成的所述第二绝缘膜，在所述栅极的侧面形成由所述第二绝缘膜构成的侧壁； (b)通过引入杂质元素，形成漏极区及源极区；所述步骤(b)中包括： (b1)至少打开所述高压MOS晶体管的所述漏极区及源极区的理应形成的漏极-源极形成区，形成至少对所述高压 MOS晶体管的所述栅极与所述漏极区或所述源极区之间应形成补偿区的补偿形成区进行覆盖的第一掩膜； (b2)利用已有的所述第一掩膜，在所述衬底上已形成的所述绝缘膜内，通过蚀刻至少将所述漏极-源极形成区上的绝缘膜去除；以及 (b3)利用已有的所述第一掩膜，在所述漏极-源极形成区引入所述杂质元素。

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