深亚微米底层无机抗反射层SiON的集成方法<%=id%>

分类号： H01L21/76
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海华虹（集团）有限公司
地址： 200020上海市淮海中路918号18楼
发明 (设计)人：王炜
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：陶金龙;陆飞
摘要
　本发明涉及一种深亚微米双氮化硅浅槽隔离技术中底层无机抗反射层SiON的集成方法。通过在场保护氮化硅上增加淀积一定厚度的无机抗反射层SiON，减缓化学机械抛光(CMP)工艺对小有源区周围场保护氮化硅层的磨削，从而保证场隔离二氧化硅对小有源区侧壁及边缘的覆盖，使CMOS管器件特性得以提高，如：管子的亚域值驼峰特性及结漏电特性。
主权项
　权利要求书 1、一种深亚微米双氮化硅浅槽隔离技术中底层无机抗反射层SiON的工艺集成方法，其特征在于在场保护氮化硅薄膜淀积完后，另外增加淀积一层SiON薄膜，并在场保护氮化硅区域光刻及刻蚀完成之后，用反应离子刻蚀的方法将有源区图形之外的SiON薄膜刻除，从而在场保护氮化硅区域上形成一层SiON薄膜层。

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