具有分离式浮栅的闪存的制造方法及其结构<%=id%>

分类号： H01L21/8246;H01L27/112
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发明 (设计)人：叶彦宏;范左鸿;蔡文哲;刘慕义;詹光阳
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京集佳专利商标事务所
代理人：王学强
摘要
　一种具有分离式浮栅的闪存的制造方法，此制造方法提供一衬底，再于衬底上依序形成氧化层以及图案化的牺牲层。接着，以图案化的牺牲层为掩模进行离子植入步骤，以在牺牲层两侧的衬底中形成具有浅掺杂源/漏极的源/漏极。然后，等向性蚀刻去除部分图案化的牺牲层后，再于图案化的牺牲层侧壁形成二导体间隙壁。其后，完全去除图案化牺牲层以及导体间隙壁以外的氧化层，以使留下的导体间隙壁做为二浮栅，之后，在衬底上依序形成介质层以及控制栅。
主权项
　权利要求书 1.一种具有分离式浮栅的闪存的制造方法，其特征在于：该制造方法包括下列步骤：提供一衬底；在该衬底依序形成一氧化层以及一图案化的牺牲层；以该图案化的牺牲层为掩模，进行离子植入步骤，以在该牺牲层两侧的该衬底中形成具有一浅掺杂源/漏极的一源/漏极；蚀刻去除部分该图案化的牺牲层；在该图案化的牺牲层侧壁形成二导体间隙壁；去除该图案化的牺牲层以及该二导体间隙壁以外的该氧化层，使留下的该二导体间隙壁做为二浮栅；在该衬底上依序形成一介质层以及一控制栅。

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