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    半导体集成电路<%=id%>


    分 类 号: H01L23/52;H01L27/00
    颁 证 日:
    优 先 权: 2001.10.24 JP 326367/2001;2002.1.23 JP 014086/2002
    申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
    地 址: 日本大阪府
    发 明 (设计)人: 椎名正弘
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 北京市柳沈律师事务所
    代 理 人: 马莹;邵亚丽
    摘要
      提供一种半导体集成电路的排布方法,通过使各布线的分层构造中具有规则性,来提高电路特性。在相对于差动放大器(1)的中心线的线对称位置,分别配置各个发射极跟随器电路(22、23)。由此,没有布线之间的交叉区域,所以可以用一层金属布线(3)来连接电路块内的布线和接地线V 。由此,可以消除因布线之间的交叉造成的串音问题。还可以使差动放大器(1)和发射极跟随器电路(22、23)之间的布线(6、7)的长度相等。而且,电路块间的信号布线由双层金属布线(4)构成,作为Vcc电源线,可以分配三层金属布线(5),可以实现精度更高的半导体集成电路。
    主权项
      权利要求书 1.一种半导体集成电路,其特征在于,具有包含多个半导体元件的电路 块、以及用于至少进行所述半导体元件间连接的多层布线,以各自的布线用 途来分配所述多层布线的各层金属布线。
         

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