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分 类 号：
H01L23/60;H01L29/772;H01L21/336
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.25 JP 328060/2001
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
川岛博文;执行直之;安田圣治
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
ESD保护器件具有场效应晶体管。该场效应晶体管具有在半导体区域中形成的源/漏扩散层、在上述源/漏扩散层间的沟道区上形成的栅绝缘膜和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极。在上述源/漏扩散层的一部分区域上形成了硅化物层。在上述源/漏扩散层中未形成上述硅化物层的区域的半导体区域中形成扩散层。该扩散层的结深度比上述源/漏扩散层的结深度浅。
主权项
权利要求书
1.一种ESD保护器件，其特征在于，包括：
场效应晶体管，具有在半导体区域中形成的源/漏扩散层、在上述
源/漏扩散层间的沟道区上形成的栅绝缘膜和在上述栅绝缘膜上形成
的栅电极；
第1硅化物层，在上述源/漏扩散层的一部分区域上形成；以及
在上述源/漏扩散层中未形成上述第1硅化物层的区域的上述半导
体区域中形成的扩散层，上述扩散层的结深度比上述源/漏扩散层的结
深度浅。
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