|
|
|
|
|
|
|
|
分 类 号：
H01L27/10;H01L21/70;H01G7/06
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.26 JP 329688/2001
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川
发 明 (设计)人：
丸山研二;近藤正雄;仓泽正树
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王杰
摘要
一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a-1)制备(001)取向的MgO层；以及(a-2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
主权项
权利要求书
1.一种电子器件，包括：
具有(001)取向的ReO3层；以及
具有钙钛矿结构的氧化物铁电层，所述铁电层形成在所述ReO3层上
并且具有(001)取向。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
