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颁 证 日：
优 先 权：
2001.6.26 JP 193518/2001
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
有留诚一
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
杜日新
摘要
非易失性半导体存储器具有设置在半导体衬底内的沟槽隔离和、设置在半导体衬底上的层间绝缘膜。沟槽隔离在区分在半导体衬底向第1方向延伸的有源区。层间绝缘膜具有向与第1方向交叉的第2方向延伸的布线槽。在有源区和布线槽的交叉部第1导体层设置为与有源区绝缘。第2导体层设置为在布线槽内与第1导体层绝缘。金属层在布线槽内设置为与第2导体层电接触。
主权项
权利要求书
1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于具有：
半导体衬底：
设置在上述半导体衬底内的沟槽隔离，该沟槽隔离在上述半导体衬底区分
有源区，该有源区沿第1方向延伸：
设置在上述半导体衬底上的层间绝缘膜、该层间绝缘膜具有布线槽，该布
线槽沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸；
设置在上述有源区和上述布线槽的交叉部的第1导体层，该第1导体层与
上述有源区绝缘；
设置在上述布线槽内的第2导体层，该第2导体层与上述第1导体层绝缘；
和
设置在上述布线槽内的金属层，该金属层与上述第2导体层电接触。
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