设于硅覆绝缘中的硅控整流器及其应用电路<%=id%>

分类号： H01L29/74;H01L29/861;H01L23/60
颁证日：
优先权： 2001.10.22 US 09/682,811
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司
地址：台湾省新竹市
发明 (设计)人：柯明道;洪根刚;唐天浩
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：陈红
摘要
　一种设于硅覆绝缘中的硅控整流器及其应用电路，该SOI-SCR可为SOI- CR或SOI- CR；SOI- CR包含有一P型井与一N型井；一第一P⁺掺杂区及一第一N⁺掺杂区，设于N型井并电连接一阳极；一第二P⁺掺杂区及一第二N⁺掺杂区，设于P型井并电连接一阴极，且第一P⁺掺杂区、N井、P型井及第二N⁺掺杂区构成一横向SCR；一第三N⁺掺杂区，横跨部分的N井及P型井；一栅极，设于P型井中并与第三N⁺掺杂区及第二N⁺掺杂区构成一NMOS；一个虚置栅极，设于N型井中；加压于该NMOS的栅极并打开该NMOS时，于N型井至P型井形成一顺向偏压而开启该SOI- CR；加压于第三N⁺掺杂区，一触发电流使该横向SCR进入锁定状态，而开启该SOI- CR；本发明可使SCR装置更为紧密，亦可加速其开启以达到ESD防护目的。
主权项
　权利要求书 1.一种设于硅覆绝缘(SOI)基底的NMOS触发硅控整流器(SOI- CR)，其特征是：该SOI- CR包含有：一P型井与一N型井，设于该硅复绝缘基底表面的一单晶硅层中；一第一P+掺杂区域以及一第一N+掺杂区域，设于该N型井中，用来当作该SOI- CR的阳极；一第二P+掺杂区域以及一第二N+掺杂区域，设于该P型井中，用来当作该SOI- CR的阴极，且该第一P+掺杂区域、该N井、该P型井以及该第二N+掺杂区域构成一横向SCR；一第三N+掺杂区域，横跨部分的该N型井以及该P型井；一栅极，设于该P型井中，并与该第三N+掺杂区域以及该第二N+掺杂区域构成一NMOS；以及一虚置栅极，设于该N型井中，用来隔绝该第一P+掺杂区域以及该第三N+掺杂区域。

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