双垂直通道薄膜电晶体及其制造方法<%=id%>

分类号： H01L29/786;H01L21/336;H01L27/11;H01L21/8244
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司
地址：台湾省台北市
发明 (设计)人：薛英家
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：刘朝华
摘要
　一种双垂直通道薄膜电晶体及其制造方法，包括：闸极层形成于基板的表面，第一绝缘层形成于基板及闸极层的表面，半导体层形成于第一绝缘层的表面，使位于两边缘侧的第一绝缘层露出，分别于两侧形成有源/汲极，于垂直于源/汲极的第一绝缘层的两侧表面分别形成通道，通道之间形成掺杂区；第二绝缘层形成于通道及掺杂区的表面，并令半导体层两侧的源/汲极露出；金属层分别形成于源/汲极及露出的第一绝缘层的表面。双垂直通道薄膜电晶体具有双闸极与截距结构，具有大幅降低漏电流，且不需要另外使用额外的光罩来定义通道，降低制造成本、简化制程步骤；缩减通道长度至深亚微米程度，大幅地的提升组件的效能。
主权项
　权利要求书 1、一种双垂直通道薄膜电晶体，其特征是：适用于一基板，包括闸极层形成于该基板的表面；第一绝缘层形成于该基板及闸极层的表面；半导体层形成于该第一绝缘层的表面，并令位于两边缘侧的第一绝缘层露出，分别于两侧形成有源/汲极，且于大抵垂直于该源/汲极的第一绝缘层的两侧表面分别形成有一通道，该通道之间形成一掺杂区；第二绝缘层形成于该通道及掺杂区的表面，并令该半导体层两侧的源/汲极露出；金属层分别形成于该源 /汲极及露出的第一绝缘层的表面。

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