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InGaAs/InPPIN光电探测器及其制造工艺<%=id%> |
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分 类 号：
H01L31/072;H01L27/14;H01L31/18
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
厦门大学
地 址：
361005福建省厦门市思明南路422号
发 明 (设计)人：
陈朝;刘宝林
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
厦门南强之路专利事务所
代 理 人：
马应森
摘要
涉及一种半导体器件，尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/I PIN光电探测器及其制造工艺。为i-I 顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-I 缓冲层/N+-I 衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散层，P+锌扩散层靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层，但没有到达光敏层；工艺步骤为：在外延片上生长氧化铝钝化膜，以锌作为扩散源进行开管锌扩散；用直接蒸发的方法在I 材料上淀积高质量的氧化铝薄膜，暗电流降低，信噪比提高，容易制备、成本低廉、结构改进，可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺，以及此膜可用于I 材料饨化膜和锌扩散的屏蔽掩膜，也可用于I 材料的抗反射膜，提高探测器的性能。
主权项
权利要求书
1、nGaAs/I PIN光电探测器，其特征在于为i-I 顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-
I 缓冲层/N+-I 衬底四层双异质结材料结构，即设有N+-I 衬底，在N+-I 衬底上为
一层非掺杂的I 缓冲层，在缓冲层上为与I 晶格相互匹配的非掺杂的i-In0.53Ga0.47As光
敏层，顶层为非掺杂的i-I 层；在顶层中有P+锌扩散层，P+锌扩散层靠近i-In0.53Ga0.47As
光敏层，但没有到达光敏层；在顶层表面为钝化膜，所说的钝化膜为顶层表面生长的一层
Al2O3膜；在扩散区和钝化膜上制备P型欧姆接触层膜；衬底的底层为N型欧姆接触层。
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