掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法<%=id%>

分类号： H01P1/20;H01P11/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：清华大学
地址： 100084北京市海淀区清华园清华大学
发明 (设计)人：张晓平;赵永刚;王玉梅;姚克贤;曹必松
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京清亦华专利事务所
代理人：廖元秋
摘要
　本发明属于微波通信技术领域，涉及掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法。包括：在一块厚金属平板上挖出一个槽，将滤波器放置在所说的槽中；在一块滤波器相同的金属薄片上切割出两条窄缝，其位置与滤波器上两条馈线的位置相同，尺寸与所需制作的接触电极的相一致；将金属薄片放置在该槽内的滤波器上，使滤波器的馈线上需制作的接触电极的部分暴露在窄缝中，用压片固定该金属薄片；将所述装有滤波器和金属薄片的厚金属板放入真空室，镀上金属膜；取出滤波器，放入通氧的装置中退火，然后冷至室温；得到制有金属接触电极的滤波器。本发明可省去蚀刻的烦琐步骤，避免损害超导膜或金属层；制作过程简单易行，并为后续外引线的接入提供清洁表面。
主权项
　权利要求书 1、一种高温超导滤波器接触电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)在一块厚金属平板上挖出一个槽，该槽长度和宽度比滤波器至少各大0.1mm，深度比滤波器厚度至少高0.1mm； (2)将滤波器放置在所说的槽中； (3)在一块尺寸和滤波器相同，厚度为0.1mm到0.2mm的金属薄片上切割出两条窄缝，两条窄缝位置与滤波器上两条馈线的位置相同，尺寸与所需制作的接触电极的相一致； (4)将所述切有窄缝的金属薄片放置在该槽内的滤波器上，使滤波器的馈线上需制作接触电极的部分暴露在窄缝中，用压片固定该金属薄片； (5)将所述装有滤波器和金属薄片的厚金属板放入真空室，镀上金属膜； (6)取出滤波器，放入通氧的装置中退火，然后冷却至室温；得到制有金属接触电极的滤波器。

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