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8;H01L29/808;H01L29/812;H02M7/537
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
住友电气工业株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
原田真;弘津研一;松波宏之;木本恒畅
国 际 申 请：
CT/JP00/05091 2000.7.28
国 际 公 布：
WO02/11210 日 2002.2.7
进入国家日期：
2002.06.28
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
王志森;黄小临
摘要
一种采用FET结构变换器件的逆变器，其特征在于，所述变换器件S1-S6是由SiC(碳化硅)-JFET形成的，其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。
主权项
权利要求书
1.一种采用FET结构变换器件的逆变器，其中所述变换器件是由SiC(碳
化硅)-JFET形成的。
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