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用于状态记忆安装系统的填料及其应用工艺过程<%=id%> |
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分 类 号：
C22C30/04;C22C12/00 23Q3/08;//C22K1∶00
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
东华大学
地 址：
200051上海市延安西路1882号
发 明 (设计)人：
李蓓智;杨建国;毛志敏;周天经
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海德昭专利事务所
代 理 人：
程宗德
摘要
一种用于状态记忆安装系统的填料及其应用工艺过程，属于机械制造和低熔点合金应用的技术领域，该填料的成分配比之一是Bi∶ ∶Cu＝15～60％WT∶40～85％WT∶0.5％WT，有不含有毒元素 或Cd，熔点低、脆性小、切削性好、易于回收利用的优点，该填料的应用工艺过程包括：(1)确定误差敏感方向的填料厚度h1；(2)预热安装系统，并保温5～10分钟；(3)加热填料4至T2，T2＝Tr+(25±5)，并使其得到均匀搅拌和充分熔融；(4)采用压力浇注工具，改善熔融填料4的流动速度，有熔融填料的流动性好、填料结合力大和安装系统的记忆精度等优点特别适于在机械制造中加工低刚度或薄壁零件。
主权项
权利要求书
1.一种用于状态记忆安装系统的填料，其特征在于，它是由铋
和锡，即Bi和 组成的低熔点非共晶合金，其中Bi和 的成分
配比分别为15～60％WT和40～85％WT。
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