溅射法生产高稳定性金属膜电阻器用的高阻靶材制造方法<%=id%>

分类号： C23C14/34;C22C27/06;C22C29/18;C22C1/02;H01C17/12;H01C7/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：天津大学
地址： 300072天津市卫津路92号
发明 (设计)人：张之圣;李国俊;姚家新;胡明
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人：赵尊生
摘要
　本发明公开了一种溅射法生产高稳定性金属膜电阻器用高阻靶材制造方法。该方法主要包括原料的配比、熔炼、浇铸和线切割过程。其特征在于：原料的组分及其重量含量为，Si：45～55％，Cr：40～50％，Ni：3～6％，Ti：0.1～0.3％。熔炼采用刚玉-石墨-镁砂复合型真空感应炉，熔炼温度为1500℃～1550℃，时间为1h，模壳内设置管口伸至模壳底面的浇铸管，烘烤模壳，使其温度达650℃～700℃时，料液通过浇铸管底面浇铸。浇铸后膜壳缓慢冷却至850℃～800℃，保温一小时，然后再以10℃～15℃/h的速度进行冷却至室温。本发明的优点在于，制备的靶材表面光滑、平整、外部无裂纹，内部无气孔。生产的金属膜电阻器具有高稳定性能，阻值达100Ω～20kΩ(未刻槽)。
主权项
　权利要求书 1.一种溅射法生产高稳定金属膜电阻器用的高阻靶材制造方法，该方法主要包括原料的配比、熔炼、浇铸和线切割过程，其特征在于：原料的组分及其重量含量为，Si：45～55％，Cr：40～50％，Ni：3～6％，Ti：0.1～0.3％，熔炼采用刚玉—石墨—镁砂复合型真空感应炉，熔炼温度为1500℃～1550℃，时间为1h，模壳内设置管口伸至模壳底面的浇铸管，烘烤模壳，使其温度达650 ℃～700℃时，料液通过浇铸管底面浇铸，浇铸后膜壳缓慢冷却至850℃～800 ℃，保温一小时，然后再以10℃～15℃/h的速度进行冷却至室温。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明