相关文章  
  • 用于状态记忆安装系统的填料及其应用工艺过程
  • 电度表用高性能磁温度补偿合金及生产工艺
  • 一种喷焊用合金粉末
  • 含锑纳米复合薄膜及其制备方法
  • 溅射法生产高稳定性金属膜电阻器用的高阻靶材制造方法
  • 一种纳米特性薄膜器件的制备方法
  • 一种用作集成电路封装基板材料的制造方法
  • Ni基合金,Ni基合金的制备方法及锻模
  • 制备用于核燃料棒包层的含铌的基于锆合金的方法
  • 铝铜硅锰压铸铝合金
  •   推荐  
      科普之友首页   专利     科普      动物      植物        天文   考古   前沿科技
     您现在的位置在:  首页>>专利 >>专利推广

    用于氧化锆和氧化铪薄膜沉积的前驱体<%=id%>


    分 类 号: C23C16/40;C23C16/448
    颁 证 日:
    优 先 权: 2001.10.30 US 10/020471
    申请(专利权)人: 夏普公司
    地 址: 日本大阪市
    发 明 (设计)人: 庄维佛;D·R·埃文斯
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 中国专利代理(香港)有限公司
    代 理 人: 曾祥凌;黄力行
    摘要
      一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方法,其包括将ZCl4同H(tmhd)3溶剂和类如苯的烃溶剂混合,形成一种溶液(其中Z为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素);将该溶液在氩气中回流12小时;藉助真空除去溶剂,从而产生一种固体化合物;将该化合物在0.1mm Hg的近真空状态和200℃下升华;还提出一种用于化学气相沉积方法的ZOx前驱体,其包括从包含ZCI(tmhd)3和ZCl2(tmhd)2在内的化合物组中选取的一种含Z化合物。
    主权项
      权利要求书 1.一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方 法,其包括: 将ZCl4同H(tmhd)3溶剂和烃溶剂混合形成一种溶液(其中,Z 为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素); 在氩气中将该溶液回流12小时; 藉助真空除去溶剂,从而产生一种固体化合物;以及 在0.1mmHg的近真空状态和200℃下使该化合物升华。
         

          设为首页       |       加入收藏       |       广告服务       |       友情链接       |       版权申明      

    Copyriht 2007 - 2008 ©  科普之友 All right reserved