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单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法<%=id%> |
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分 类 号：
G01P15/12
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地 址：
200050上海市长宁区长宁路865号
发 明 (设计)人：
李昕欣;黄树森;王跃林
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海智信专利代理有限公司
代 理 人：
潘振甦
摘要
本发明涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，使得微梁只有X方向的直拉直压变形，微梁的自由端与质量块相连；硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻；硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构；悬臂梁、微梁和过载保护结构的制作是同时完成；其中直拉微梁在SOI材料的上层硅上制作，弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上制作，并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。本发明适合各种量程(1～1.6×105g)，具有高灵度、高带宽的特点。
主权项
权利要求书
1.一种单片集成直拉直压微梁压阻式加速度传感器，包括硅框架、悬臂
梁、微梁、可动质量块，其特征在于：
(1)二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，微梁位于质量
块边缘使得微梁只有轴向方向的直拉直压变形，即只有X轴方向的变形处；
(2)微梁的自由端与质量块相连；
(3)硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻；
(4)硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器
为单片硅形成的整体式结构。
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