同平面切换模式液晶显示单元的制造方法<%=id%>

分类号： G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1345;G03F7/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司
地址：台湾省台北市民生东路三段115号5楼
发明 (设计)人：施博盛
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海专利商标事务所
代理人：陈亮
摘要
　本发明是一种同平面切换模式液晶显示单元的制造方法，包含下列步骤：提供一绝缘基板；于该绝缘基板上形成一第一导体层，以一第一光罩微影蚀刻过程对其定义出一栅极导线构造、一共同电极构造、一接线垫、一第一梳状电极以及一第二梳状电极；于该绝缘基板上方依序形成一栅极绝缘层以及一半导体层，以一第二光罩微影蚀刻过程对该半导体层以与门极绝缘层进行图案定义，用以形成一信道结构、一绝缘结构、一储存电容的介电层以及多个导线交错绝缘结构；于该绝缘基板上方形成一高掺杂半导体层以及一第二导体层，以一第三光罩微影蚀刻过程于上定义出一源漏极构造、一数据导线、一连接电极以及一储存电容的上电极；以及于该绝缘基板中除部分接线垫外的区域上方形成一保护结构。
主权项
　权利要求书 1.一种同平面切换模式液晶显示单元的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一绝缘基板；于该绝缘基板上形成一第一导体层，以一第一光罩微影蚀刻过程对其定义出一栅极导线构造、一共同电极构造、一接线垫、一第一梳状电极以及一第二梳状电极，其中该共同电极构造是连接至该第二梳状电极；于该绝缘基板上方依序形成一栅极绝缘层以及一半导体层，以一第二光罩微影蚀刻过程对该半导体层以与门极绝缘层进行图案定义，用以形成一信道结构、一绝缘结构、一储存电容的介电层以及多个导线交错绝缘结构；于该绝缘基板上方形成一高掺杂半导体层以及一第二导体层，以一第三光罩微影蚀刻过程于上定义出一源漏极构造、一数据导线、一连接电极以及一储存电容的上电极，其中该数据导线是覆盖于导线交错绝缘结构之上并连接至该漏极结构，该连接电极连接于该源极结构与该第一梳状电极间，而该储存电容的上电极覆盖于该储存电容的介电层之上并连接于该第一梳状电极；以及于该绝缘基板中除部分接线垫外的区域上方形成一保护结构。

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