交替式相移光罩及其解除光罩以及接触洞的制造方法<%=id%>

分类号： G03F1/00;G03F1/16
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区
发明 (设计)人：林本坚;游信胜;何邦庆
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
摘要
　本发明揭露一种交替式相移光罩(Alternating Phase-Shifting Mask；Alt M)及其相对应的解除光罩(U acking Mask)，以及利用构装的交替式相移光罩与解除光罩，以构装及解除(Packing And U acking；PAU)的方式来制造接触洞(Contact Hole)。由交替式相移光罩的使用，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，并降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，而构装及解除法亦可缩小洞与洞的分离率(Hole-to-separationRatio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
主权项
　权利要求书 1.一种交替式相移光罩，适用于制造复数个接触洞，其特征在于，其中该交替式相移光罩至少包括：一背景；复数个接触洞图案位于该背景上；以及复数个填充洞图案位于该背景上，且该些填充洞图案包围住每一该些接触洞图案，其中该些填充洞图案与相邻的该些接触洞图案具有一相位差，且该些填充洞图案与相邻的该些接触洞图案之间具有一预设距离。

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