|
|
|
|
|
|
|
|
分 类 号：
G11C11/401;G11C11/406
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.29 JP 330951/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
松本淳子;山内忠昭;冈本武郎
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;王忠忠
摘要
本发明的课题是，使自更新模式时的消耗电流分散并降低消耗电)的特定的地或QAD<11：10>)，将更新阵列激活信号(RFACT)或CN<)作为更新地址的特定的地址位，另外，通过将该特定的地址位作为更新地址的高位的位利用，自更新模式时能以等间隔对规定的地址区域进行更新，能使更新间隔长，能降低消耗电流。
主权项
权利要求书
1.一种半导体存储器，该半导体存储器要求周期性地更新存储
数据，其特征在于，备有：
发生指定更新对象的存储单元的多位更新地址的更新地址发生电
路；以及
根据上述更新地址的特定地址位和更新请求，生成激活更新工作
用的更新阵列激活信号的更新激活电路。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
