半导体装置<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.29 JP 330950/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：冈本武郎;山内忠昭;神保伸一;诹访真人
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　本发明的课题是，在根据输出电源电压决定确定输入信号的逻辑电平的电压的情况下，即使输出电源电压发生变化时，也能准确地判断输出信号的逻辑电平，生成内部信号。用接受决定输出信号的逻辑电平的输出电源电压(VDD)的门电路(24)或接受来自与输出电路用的电源衰减器不同的衰减器的输出电源电压相关的基准电压(Vref1)与输入信号的比较电路(10)构成输入电路。因此，输出电源电压发生变化时即使输入信号发生变化，也能准确地识别输入信号的高电平/低电平，生成内部信号。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体装置，其特征在于，备有：从第一电源衰减器供给的第一电源电压，生成与上述第一电源电压有关的基准电压的基准电压发生电路；接受第一输入信号，根据上述第一输入信号与上述基准电压的电压电平的关系，判断上述第一输入信号的逻辑电平，根据该判断结果，生成与上述第一电源电压不同的呈第二电源电压电平的第一内部信号的第一输入电路；以及从与上述第一电源衰减器不同配置的第二电源衰减器接受上述第一电源电压作为工作电源电压，对所供给的信号进行缓冲处理后输出到外部的输出电路。

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