一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法<%=id%>

分类号： H01C7/02;H01C17/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海维安热电材料股份有限公司
地址： 201206上海市浦东新金桥路201号401室
发明 (设计)人：奉玉廷;候李明;王军;杨兆国
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海东亚专利代理有限公司
代理人：董梅
摘要
　本发明涉及一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子PTC热敏电阻器芯材配料、成片过程中，在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上40～80℃的加热设备中，4～6小时，然后迅速将其转移至-20℃～-60℃的冷冻设备中使其迅速冷却1～2小时。本发明通过采用合适的高低温相结合的热处理工艺，有效地改善了PTC热敏电阻器中结晶性高聚物的结晶形态，可使晶粒变得细小而均匀，并使PTC热敏电阻器中导电填料、无机非导电填料、各种助剂在高聚物的基体中分布得更加均匀，提高了PTC热敏电阻的内部组成的均匀性，使得其各种性能如：室温电阻、耐流或耐压能力、耐流或耐压后的电阻变化率等更均一。提高了高分子PTC热敏电阻器性能的均匀性、一致性，进而提高了成品率。
主权项
　权利要求书 1. 一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子PTC 热敏电阻器芯材配料、成片及制成芯片的过程中，其特征在于在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上40～80℃的加热设备中，4～6小时，然后迅速将其转移至-20℃～-60℃的冷冻设备中使其迅速冷却1～2小时。

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