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    低衬底损耗电感<%=id%>


    分 类 号: H01F17/00;H01L27/01
    颁 证 日:
    优 先 权:
    申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
    地 址: 台湾省台北县新店市
    发 明 (设计)人: 游永杰
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 北京市柳沈律师事务所
    代 理 人: 李晓舒;魏晓刚
    摘要
      本发明提供一种低衬底损耗电感,其由半导体集成电路技术所制造。该低衬底损耗电感包含一衬底,多个p型掺杂区及多个n型掺杂区,以交替的方式形成于该衬底内,一绝缘层,形成于该衬底的上方,以及一金属线圈,形成于该绝缘层上。该绝缘层隔离该金属线圈及该多个p型、n型掺杂区,且该多个p型、n型掺杂区的排列方式是与该金属线圈成正交。
    主权项
      权利要求书 1.一种电感元件,其包含: 一衬底; 多个条状掺杂区,以p型、n型交替的方式形成于该衬底内; 一绝缘层,形成于该衬底的上方;以及 一金属线圈,形成于该绝缘层上; 其中该绝缘层隔离该金属线圈及该多个条状掺杂区,且该多个条状掺杂 区的排列方式是与该金属线圈成正交。
         

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