绝缘膜形成材料,绝缘膜,形成绝缘膜的方法及半导体器件<%=id%>

分类号： H01L21/31
颁证日：
优先权： 2001.11.2 JP 338502/2001
申请(专利权)人：富士通株式会社
地址：日本神奈川
发明 (设计)人：中田义弘;铃木克己;杉浦岩;矢野映
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
摘要
　多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C-C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。
主权项
　权利要求书 1.一种绝缘膜形成材料，包括：一种硅化合物，具有C-C键骨架；一种多孔形成化合物，被热处理分解或蒸发；以及一种溶剂，溶解硅化合物和多孔形成材料。

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